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2N3906S	文件：57.13 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3906S	文件：195.69 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. •LowCollectorOutputCapacita	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3906S	文件：296.08 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N3906S	文件：205.24 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3906S-AB	文件：473.89 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon 1.FEATURES •SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage •HighDCCurrentGain,LowCollectortoEmitterSaturationVoltage, QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability,HFProduct. •Generalpurposeamplifierandswitching,Meetthestringentrequirementsofautomotiveappli	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3906S-AL	文件：474.61 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon 1.FEATURES ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirementsandHalogenFree. ●S-prefixforautomotiveandotherapplicationsrequiring uniquesiteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101 qualifiedandPPAPcapable.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N3906SC	文件：707.9 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. •Complementaryto2N3904SC.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N3906TA	文件：654.29 Kbytes Page：10 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N3906TA	文件：154.16 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N3906TAR	文件：654.29 Kbytes Page：10 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

技术参数

VCBO(V)：
-40
VCEO(V)：
-40
fT(MHz)：
250
IC(A)：
-0.2
hFEmin：
100
hFEmax：
400
Status：
NRND
Type：
PNP
封裝型式：
TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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