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2N3904TF	文件：464.96 Kbytes Page：13 Pages	丝印：2N3904；Package：TO-92；NPN General-Purpose Amplifier Description This device is designed as a general-purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier 文件：464.96 Kbytes 页数：13 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
2N3904TFR	文件：464.96 Kbytes Page：13 Pages	丝印：2N3904；Package：TO-92；NPN General-Purpose Amplifier Description This device is designed as a general-purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier 文件：464.96 Kbytes 页数：13 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
2N3904TFR	文件：329.69 Kbytes Page：9 Pages	NPN General - Purpose Amplifier Description This device is designed as a general−purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier. 文件：329.69 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3904U	文件：481.12 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Low Leakage Current : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) @VCE=30V, VEB=3V. • Excellent DC Current Gain Linearity. • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA. • Low Collector Output Capacitance 文件：481.12 Kbytes 页数：4 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
2N3904V	文件：97.72 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES • Low Leakage Current : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) @VCE=30V, VEB=3V. • Excellent DC Current Gain Linearity. • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA. • Low Collector Output Capacitance 文件：97.72 Kbytes 页数：4 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
2N3904ZL1	文件：236.45 Kbytes Page：10 Pages	General Purpose Transistors Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：236.45 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3904ZL1	文件：98.77 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors(NPN Silicon) General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：98.77 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3904ZL1G	文件：236.45 Kbytes Page：10 Pages	General Purpose Transistors Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：236.45 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N3905	文件：34.52 Kbytes Page：1 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 文件：34.52 Kbytes 页数：1 Pages	Samsung 三星	Samsung
2N3905	文件：26.75 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 100 mA. 文件：26.75 Kbytes 页数：2 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

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晶体管资料

型号：
2N3905
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
>200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC177,BC204,BC212,BC213,BC251,BC257,BC307,BC512,BC557,2N2906,2N2907,3CK3F,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
β>50
图片代号：
A-31
vtest：
40
htest：
200000100
atest：
0.2
wtest：
0.625

技术参数

Ptot：
0.625
IC：
-0.2
VCBO：
-40
VCEO：
40
VEBO：
-5
hFE_VCE(V)：
-1
hFE_IC(mA)：
-10
Package Outline：
TO-92
Arrays：
EBC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市弘为电子有限公司	2N3905	MOTOROLA	24+	CAN	1650	原装现货假一罚十	询价
深圳市一线半导体有限公司	2N3905	FSC	24+		2493		询价
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