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2N3905	文件：34.52 Kbytes Page：1 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
2N3905	文件：171.48 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications?	SEMTECH Semtech Corporation
2N3905	文件：26.75 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
2N3905	文件：112.58 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics
2N3905	文件：99.03 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92(10D3) •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDIOTEC 德欧泰克
2N3905	文件：56.42 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
2N3905	文件：151.27 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. AscomplementarytypestheNPNtransistors 2N3903and2N3904arerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司
2N3905	文件：359.64 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL SWITCHING TRANSISTORS GeneralPurposeSwitchingAndAmplifierApplications	CDIL CDIL
2N3905	文件：38.99 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. AscomplementarytypestheNPNtransistors 2N3903and2N3904arerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2N3905	文件：145.93 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors(PNP Silicon) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N3905	文件：323.45 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR: DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N3905and2N3906typesarePNPsilicontransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.NPNcomplementarytypesare2N3903and2N3904. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
2N3905	文件：323.45 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
2N3905	文件：63.37 Kbytes Page：6 Pages	PNP General Purpose Amplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
2N3905_01	文件：63.37 Kbytes Page：6 Pages	PNP General Purpose Amplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
2N3905_15	文件：323.45 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
2N3905_6	文件：77.78 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistors	FCI Amphenol ICC
2N3905_D29Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 0.2A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N3905BU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 0.2A TO-92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N3905TA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 0.2A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
ST2N3905	文件：168.12 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. AscomplementarytypestheNPNtransistors 2N3903and2N3904arerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司

晶体管资料

型号：
2N3905
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
>200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC177,BC204,BC212,BC213,BC251,BC257,BC307,BC512,BC557,2N2906,2N2907,3CK3F,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
β>50
图片代号：
A-31
vtest：
40
htest：
200000100
atest：
.2
wtest：
.625

详细参数

型号：
2N3905
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N3905供应商更新时间2024-4-27 13:30:00

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