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2N3713	文件：178.5 Kbytes Page：5 Pages	EPITAXIAL-BASE NPN - PNP EPITAXIAL-BASE NPN - PNP The 2N3713, 2N3714, 2N3715 and 2N3716 are silicon epitaxial-base NPN power transistor in Jedec TO-3 metal case. They are inteded for use in power linear and switching applications. The complementary PNP types are 2N3789, 2N3790, 2N3791 and 2N3792 respectively. 文件：178.5 Kbytes 页数：5 Pages	COMSET	COMSET
2N3713	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N3714	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N3714	文件：261.16 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS • Designed for medium-speed switching and amplifier applications. 文件：261.16 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N3714	文件：16.32 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. Bipolar NPN Device. VCEO = 80V IC = 10A 文件：16.32 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3714	文件：178.5 Kbytes Page：5 Pages	EPITAXIAL-BASE NPN - PNP EPITAXIAL-BASE NPN - PNP The 2N3713, 2N3714, 2N3715 and 2N3716 are silicon epitaxial-base NPN power transistor in Jedec TO-3 metal case. They are inteded for use in power linear and switching applications. The complementary PNP types are 2N3789, 2N3790, 2N3791 and 2N3792 respectively. 文件：178.5 Kbytes 页数：5 Pages	COMSET	COMSET
2N3714	文件：132.23 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN POWER TRANSISTORS SILICON NPN POWER TRANSISTORS 10 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 60-80 VOLTS 150 WATTS 文件：132.23 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N3714	文件：493.35 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3713, 2N3714, 2N3715, and 2N3716 are silicon NPN power transistors manufactured by the epitaxial-base process, mounted in a hermetically sealed metal package designed for medium speed switching and amplifier applications. 文件：493.35 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3714SMD	文件：14.66 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications Bipolar NPN Device. VCEO = 80V IC = 10A 文件：14.66 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3715	文件：42.07 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 50-150@IC= 1A • Wide Area of Safe Operation • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.8V(Max.)@ IC= 5A • Complement to Type 2N3791/3792 APPLICATIONS • Designed for medium-speed switching and amplifier applications 文件：42.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2N3700
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
140V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS43,BSS59,BSW68,2SC3228,2SC2383,2N2990,3DK204C,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
β>100
图片代号：
D-8
vtest：
140
htest：
200000000
atest：
1
wtest：
0.5

产品属性

产品编号：
2N3700
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-18
描述：
TRANS NPN 80V 1A TO18

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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