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2N3715 | SILICON NPN POWER TRANSISTORS SILICON NPN POWER TRANSISTORS 10 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 60-80 VOLTS 150 WATTS 文件：132.23 Kbytes 页数：3 Pages | BOCA 博卡 | BOCA | |
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2N3715 | NPN High Power Silicon Transistor Features • Available in JAN, JANTX, JANTXV per MIL-PRF-19500/408 • TO-3 (TO-204AA) Package 文件：449.72 Kbytes 页数：3 Pages | MA-COM | MA-COM | |
2N3715 | 10 AMPERE POWER TRANSISTORS SILICON NPN 60.80 VOLTS 150 WATTS Silicon NPN Power Transistors . . . designed for medium–speed switching and amplifier applications. These devices feature: • Total Switching Time at 3 A typically 1.15 µs • Gain Ranges Specified at 1 A and 3 A • Low VCE(sat): typically 0.5 V at IC = 5 A and IB = 0.5 A • Excellent Safe Operati 文件：272.9 Kbytes 页数：6 Pages | MOTOROLA 摩托罗拉 | MOTOROLA | |
2N3715 | EPITAXIAL-BASE NPN - PNP EPITAXIAL-BASE NPN - PNP The 2N3713, 2N3714, 2N3715 and 2N3716 are silicon epitaxial-base NPN power transistor in Jedec TO-3 metal case. They are inteded for use in power linear and switching applications. The complementary PNP types are 2N3789, 2N3790, 2N3791 and 2N3792 respectively. 文件：178.5 Kbytes 页数：5 Pages | COMSET | COMSET | |
2N3715 | Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | |
2N3715 | isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 50-150@IC= 1A • Wide Area of Safe Operation • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.8V(Max.)@ IC= 5A • Complement to Type 2N3791/3792 APPLICATIONS • Designed for medium-speed switching and amplifier applications 文件：42.07 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
2N3715 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 文件：15.52 Kbytes 页数：1 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | |
2N3715 | EPITAXIAL-BASE TRANSISTORS 文件：82.55 Kbytes 页数：4 Pages | COMSET | COMSET | |
2N3715 | NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR 文件：64.18 Kbytes 页数：2 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
>4MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BD130,BD315,BD545B,BDX10,BDY20,BDY39,BDY73,2N3055,2N3722,2N5632,2N5633,2N5634,3DK208B,
- 最大耗散功率：
150W
- 放大倍数：
β>50
- 图片代号：
E-44
- vtest：
80
- htest：
4000100
- atest：
10
- wtest：
150
产品属性
- 产品编号：
2N3715
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 2A，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 1A，2V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-3
- 描述：
TRANS NPN 60V 0.001A TO3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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