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2N372	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N3720	文件：22.37 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case 文件：22.37 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3720	文件：55.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION: These power transistors are produced by PPCs DOUBLE DIFFUSED PLANAR process. This technology produces high voltage devices with excellent switching speeds, frequency response, gain linearity, saturation voltages, high current gain, and safe operating areas. They are intended for use 文件：55.85 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N3720	文件：153.1 Kbytes Page：1 Pages	POWER TRANSISTORS PNP SILICON 3 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 40, 60, 80 VOLTS 6 WATTS 文件：153.1 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3721	文件：75.08 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN LO-PWR BJT Description : Si NPN Lo-Pwr BJT 文件：75.08 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3722	文件：22.37 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case 文件：22.37 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3722	文件：133.07 Kbytes Page：1 Pages	NPN SMALL SIGNAL HIGH VOLTAGE HIGH CURRENT SWIRCHES NPN SMALL SIGNAL HIGH VOLTAGE HIGH CURRENT SWIRCHES 文件：133.07 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3724	文件：1.07571 Mbytes Page：2 Pages	HIGH SPEED NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH SPEED NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT TRANSISTORS 文件：1.07571 Mbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3724	文件：497.69 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR NPN METAL CAN - SATURATED SWITCH NPN METAL CAN - LOW NOISE LEVEL AMPLIFIER 文件：497.69 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3724A	文件：22.37 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case 文件：22.37 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
2N372
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
射频/高频放大（HF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
24V
最大电流允许值：
0.01A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
AF124,AF125,AF126,AF127,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,3AG54A,
最大耗散功率：
0.08W
放大倍数：
图片代号：
C-36
vtest：
24
htest：
30000000
atest：
0.01
wtest：
0.08

技术参数

Maximum Transition Frequency：
90(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
1000mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
3A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.75@100mA@1A
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N372供应商更新时间2026-4-17 13:30:00

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