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2N3727	文件：108.27 Kbytes Page：2 Pages	PNP DUAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3726, 2N3727 types are silicon PNP dual transistors manufactured by the epitaxial planar process utilizing 2 individual chips mounted in a hermetically sealed metal cas designed for differential amplifier applications. 文件：108.27 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3727	文件：52.73 Kbytes Page：1 Pages	Dual Transistors Dual Transistors PD@ TA=25°C=600mW Total (Both Die Equal Power) 文件：52.73 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3728	文件：197.79 Kbytes Page：2 Pages	NPN HIGH PERFORMANCE DIFFERENTIAL AMPLIFIERS NPN HIGH PERFORMANCE DIFFERENTIAL AMPLIFIERS 文件：197.79 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3720	文件：27.9 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR 文件：27.9 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3724	文件：15.35 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package 文件：15.35 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3724	文件：121.76 Kbytes Page：1 Pages	General Purpose Transistors 文件：121.76 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N3724	文件：497.69 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR 文件：497.69 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3724_15	文件：497.69 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR 文件：497.69 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3724A	文件：121.76 Kbytes Page：1 Pages	General Purpose Transistors 文件：121.76 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N3724A	文件：16.16 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 文件：16.16 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB

晶体管资料

型号：
2N372
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
射频/高频放大（HF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
24V
最大电流允许值：
0.01A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
AF124,AF125,AF126,AF127,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,3AG54A,
最大耗散功率：
0.08W
放大倍数：
图片代号：
C-36
vtest：
24
htest：
30000000
atest：
0.01
wtest：
0.08

技术参数

Maximum Transition Frequency：
90(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
1000mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
3A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.75@100mA@1A
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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