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2N3583	文件：224.71 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY MEDIUM-POWER HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORS 文件：224.71 Kbytes 页数：4 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N3583	文件：51.32 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件：51.32 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3583	文件：435.75 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3583 series devices are silicon NPN transistors designed for high speed switching and high voltage amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：435.75 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3583	文件：217.42 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(35W) 文件：217.42 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N3583	文件：166.06 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS. NPN SILICON POWER TRANSISTORS. High voltage power transistors designed for industrial and military applications. TO-66 metal case. Compliance to RoHS. 文件：166.06 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
2N3583	文件：158.62 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Contunuous Collector Current-IC= 1A • Power Dissipation-PD=35W @TC= 25℃ • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 5.0 V(Max)@ IC = 1A APPLICATIONS • Designed for high-speed switching and linear amplifier application for high-voltage operational amplifiers, 文件：158.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N3583	文件：103.09 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT Silicon NPN, PNP Power Transostors 文件：103.09 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3583	文件：362.52 Kbytes Page：2 Pages	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 Silicon NPN, PNP Power Transostors 文件：362.52 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3584	文件：114.66 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Continuous collector current-IC=2A • Power dissipation -PD=35W @TC=25℃ • VCE(SAT)=0.75V(Max)@IC=1A;IB=0.125A APPLICATIONS • High speed switching and linear amplification • High-voltage operational amplifiers • Switching regulators ,converters • Deflectio 文件：114.66 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N3584	文件：362.52 Kbytes Page：2 Pages	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 Silicon NPN, PNP Power Transostors 文件：362.52 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2N3585
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
500V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BUX84,BUY63,TIP75(C),2SC3169,2N4240,3DK206E,40850,
最大耗散功率：
35W
放大倍数：
图片代号：
D-8
vtest：
500
htest：
10000100
atest：
2
wtest：
35

产品属性

产品编号：
2N3585
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
描述：
NPN POWER SILICON TRANSISTORS

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