2N3583说明书PDF资料贸易商博卡BOCA-114ic电子网

首页 >2N3583>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
2N3583	文件：224.71 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY MEDIUM-POWER HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORS 文件：224.71 Kbytes 页数：4 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N3583	文件：51.32 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件：51.32 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3583	文件：435.75 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3583 series devices are silicon NPN transistors designed for high speed switching and high voltage amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：435.75 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3583	文件：217.42 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(35W) 文件：217.42 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N3583	文件：166.06 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS. NPN SILICON POWER TRANSISTORS. High voltage power transistors designed for industrial and military applications. TO-66 metal case. Compliance to RoHS. 文件：166.06 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
2N3583	文件：158.62 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Contunuous Collector Current-IC= 1A • Power Dissipation-PD=35W @TC= 25℃ • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 5.0 V(Max)@ IC = 1A APPLICATIONS • Designed for high-speed switching and linear amplifier application for high-voltage operational amplifiers, 文件：158.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N3583	文件：103.09 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT Silicon NPN, PNP Power Transostors 文件：103.09 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3583	文件：362.52 Kbytes Page：2 Pages	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 Silicon NPN, PNP Power Transostors 文件：362.52 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3583	文件：16.1 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 文件：16.1 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N3583	文件：63.42 Kbytes Page：3 Pages	5 Amp, 250V, High Voltage NPN Silicon Power Transistors 文件：63.42 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

晶体管资料

型号：
2N3583
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
250V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BUX84,BUY63,TIP63,TIP75(A),TIP75(B),TIP75(C),2SC3169,2N4240,3DK206E,40850,
最大耗散功率：
35W
放大倍数：
图片代号：
D-8
vtest：
250
htest：
10000100
atest：
2
wtest：
35

产品属性

产品编号：
2N3583
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电流 - 集电极截止（最大值）：
10mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 500mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-213AA，TO-66-2
供应商器件封装：
TO-66（TO-213AA）
描述：
TRANS NPN 175V 0.01A TO66

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市龙腾翼电子科技有限公司	2N3583		2000		20		询价
深圳市一线半导体有限公司	2N3583	MOT/RCA	24+	TO-66	2830		询价
深圳市弘为电子有限公司	2N3583	MOTOROLA	24+	TO-66	1200	原装现货假一罚十	询价
深圳市利加科技有限公司	2N3583	SSI	16+	NA	8800	原装现货,货真价优	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	2N3583	MOT	23+	TO-66	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市振宏微科技有限公司	2N3583	RCA	23+	NA	715	专做原装正品,假一罚百!	询价
深圳市昊创电子有限公司	2N3583	MOTOROLA	专业铁帽	TO-66	1200	原装铁帽专营,代理渠道量大可订货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2N3583	MOTOROLA/摩托罗拉	20+	TO-66	67500	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市科雨电子有限公司	2N3583	CENTRAL	25+	TO-66	326	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市易讯博科技有限公司	2N3583	Central	22+	NA	75	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价

更多2N3583供应商更新时间2026-4-17 8:01:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号