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2N3583分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N3583

参数属性

2N3583 封装/外壳为TO-213AA,TO-66-2;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 175V 0.01A TO66

功能描述

SI NPN POWER BJT

封装外壳

TO-213AA,TO-66-2

文件大小

103.09 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名称

新泽西半导体 新泽西半导体公司

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 11:06:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N3583

  • 别名:

    2N3583三极管、2N3583晶体管、2N3583晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    250V

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    >10MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BUX84,BUY63,TIP63,TIP75(A),TIP75(B),TIP75(C),2SC3169,2N4240,3DK206E,40850,

  • 最大耗散功率:

    35W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    D-8

  • vtest:

    250

  • htest:

    10000100

  • atest:

    2

  • wtest:

    35

2N3583规格书详情

Silicon NPN, PNP Power Transostors

产品属性

  • 产品编号:

    2N3583

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 500mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供应商器件封装:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    TRANS NPN 175V 0.01A TO66

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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