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2N343	文件：803.47 Kbytes Page：5 Pages	SILICON TRANSISTORS SILICON TRANSISTORS 文件：803.47 Kbytes 页数：5 Pages	ASI	ASI
2N343	文件：139.98 Kbytes Page：1 Pages	N-P-N GROWN SILICON TRANSISTORS N-P-N GROWN SILICON TRANSISTORS 文件：139.98 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3435	文件：80.61 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER HF BJT MANUFACTURER Description: Si NPN Power HF BJT 文件：80.61 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3439	文件：144.05 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORS High-Voltage Silicon N-P-N Transistors 文件：144.05 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3439	文件：174.77 Kbytes Page：1 Pages	NPN TO-39/TO-5 NPN TO-39/TO-5 Case 801 I(MAX) = 0.05 to 10 A VCEO(sus) = 40 • 800V fT = 1 to 50 MHz 文件：174.77 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3439	文件：102.9 Kbytes Page：2 Pages	High-Voltage Silicon N-P-N Transistors High-Voltage Silicon N-P-N Transistors 文件：102.9 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3439	文件：207.82 Kbytes Page：2 Pages	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 High-Voltage Silicon N-P-N Transistors 文件：207.82 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3439	文件：66.86 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN TRANSISTORS DESCRIPTION The 2N3439 and 2N3440 are silicon epitaxial planar NPN transistors in jedec TO-39 metal case designed for use in consumer and industrial line-operated applications. These devices are particularly suited as drivers in high-voltage low current inverters, switching and series regulators 文件：66.86 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N3439	文件：45.58 Kbytes Page：3 Pages	NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS High Voltage Silicon Planar Transistors used in High Voltage & High Power Amplifier Applications. 文件：45.58 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
2N3439	文件：55.84 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued) 文件：55.84 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL

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晶体管资料

型号：
2N343
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.06A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC140,BC302,3DG180A,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
D-9
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.06
wtest：
1

技术参数

package_carrier：
Waffle Pack
package_name：
4 LCC
Output Capacitance (min)：
0
Output Capacitance (typ)：
0
Output Capacitance (max)：
10
Input Capacitance (min)：
0
Input Capacitance (typ)：
0
Input Capacitance (max)：
75
Junction Temperature (掳C) (min)：
-65
Junction Temperature (掳C) (typ)：
0
Junction Temperature (掳C) (max)：
200
Collector-Emitter Voltage (Base Open) (min)：
0
Collector-Emitter Voltage (Base Open) (typ)：
0
Collector-Emitter Voltage (Base Open) (max)：
350
Emitter-Base Voltage (Collector Open) (min)：
0
Emitter-Base Voltage (Collector Open) (typ)：
0
Emitter-Base Voltage (Collector Open) (max)：
7
Collector to Emitter Saturation Voltage (min)：
0
Collector to Emitter Saturation Voltage (typ)：
0
Collector to Emitter Saturation Voltage (max)：
0.5
Collector Current (dc) (min)：
0
Collector Current (dc) (typ)：
0
Collector Current (dc) (max)：
1
Collector to Base Voltage (Emitter Open) (min)：
0
Collector to Base Voltage (Emitter Open) (typ)：
0
Collector to Base Voltage (Emitter Open) (max)：
450
Power Dissipation (min)：
0
Power Dissipation (typ)：
0
Power Dissipation (max)：
0.8
DC Current Gain (min)：
40
DC Current Gain (typ)：
0
DC Current Gain (max)：
160
Forward Current Transfer Ratio (Magnitude of (min)：
3
Forward Current Transfer Ratio (Magnitude of (typ)：
0
Forward Current Transfer Ratio (Magnitude of (max)：
15

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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