2N343中文资料PDF规格书
![2N343](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
厂商型号 |
2N343 |
参数属性 | 2N343 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 350V 1A TO39 |
功能描述 | SILICON TRANSISTORS |
文件大小 |
803.47 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | Advanced Semiconductor, Inc |
企业简称 |
ASI |
中文名称 | Advanced Semiconductor, Inc官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-17 18:56:00 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
2N343三极管、2N343晶体管、2N343晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_TR
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
60V
- 最大电流允许值:
0.06A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BC140,BC302,3DG180A,
- 最大耗散功率:
1W
- 放大倍数:
- 图片代号:
D-9
- vtest:
60
- htest:
999900
- atest:
.06
- wtest:
1
2N343规格书详情
SILICON TRANSISTORS
产品属性
- 产品编号:
2N3439 PBFREE
- 制造商:
Central Semiconductor Corp
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 4mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
20µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 2mA,10V
- 频率 - 跃迁:
15MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-205AD,TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装:
TO-39
- 描述:
TRANS NPN 350V 1A TO39
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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