2N343分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N343 |
| 参数属性 | 2N343 封装/外壳为TO-205AD，TO-39-3 金属罐；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 350V 1A TO39 |
| 功能描述 | N-P-N GROWN SILICON TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 文件大小 |
139.98 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 中文名称 | 新泽西半导体 新泽西半导体公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-10 10:19:00 |
| 人工找货 | 2N343价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N343三极管、2N343晶体管、2N343晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_TR
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
0.06A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BC140,BC302,3DG180A,
- 最大耗散功率：
1W
- 放大倍数：
- 图片代号：
D-9
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
0.06
- wtest：
1
2N343规格书详情
N-P-N GROWN SILICON TRANSISTORS
产品属性
- 产品编号：
2N3439 PBFREE
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 4mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 2mA，10V
- 频率 - 跃迁：
15MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-39
- 描述：
TRANS NPN 350V 1A TO39
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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