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2N3055	文件：186.35 Kbytes Page：2 Pages	silicon NPN triple diffused type 文件：186.35 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2N3055	文件：55.17 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN TRANSISTORS 文件：55.17 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
2N3055	文件：493.29 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：493.29 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3055	文件：487.38 Kbytes Page：3 Pages	NPN Power Silicon Transistor 文件：487.38 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM
2N3055	文件：76.82 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON DARLINGTONS 文件：76.82 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
2N3055	文件：153.13 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：153.13 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N3055	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Silicon Power 70V, 15A This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power, 2N3055 transistor. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) is provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/407. The device package outline is a TO-204AA (similar to TO-3) for all encapsul	Microchip 微芯科技	Microchip
2N3055	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN TRANSISTOR FOR POWERFUL AF OUTPUT STAGES	Infineon 英飞凌	Infineon
2N3055	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor	UTC 友顺	UTC
2N3055	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 15A TO3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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晶体管资料

型号：
2N3055(E,H,S,U,)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
>2.5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD130,BD317,BD745C,BDW51C,BDX10,BDY20,BDY39,BDY73,2N5629,2N5630,2N5631,2N6254,3DD17D,
最大耗散功率：
115W
放大倍数：
图片代号：
D-44
vtest：
100
htest：
2500100
atest：
15
wtest：
115

产品属性

产品编号：
2N3055
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-3
描述：
TRANS NPN 60V 15A TO3

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