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2N2919L

NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

文件:293.53 Kbytes 页数:4 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N2919U

NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

文件:293.53 Kbytes 页数:4 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N2913DCSM

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

2N2914

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

2N2914DCSM

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

2N2914

Package:TO-78-6 金属罐;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 描述:TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6

CENTRAL

2N2915

Package:TO-78-6 金属罐;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 描述:TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6

CENTRAL

2N2915A

Package:TO-78-6 金属罐;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 描述:TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6

CENTRAL

产品属性

  • 产品编号:

    2N2919L

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    60V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 100µA,1mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 1mA,5V

  • 功率 - 最大值:

    350mW

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-78-6 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-78-6

  • 描述:

    TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N291供应商 更新时间2026-3-10 10:18:00