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2N2920	文件：304.78 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON DUAL TRANSISTOR NPN SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500 /355 文件：304.78 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2920	文件：52.73 Kbytes Page：1 Pages	Dual Transistors Dual Transistors PD@ TA=25°C=600mW Total (Both Die Equal Power) 文件：52.73 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N2920	文件：151.18 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON DUAL TRANSISTORS Dual Transistors PD@ TA=25°C=600mW Total (Both Die Equal Power) 文件：151.18 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N2920	文件：31.52 Kbytes Page：1 Pages	Chip Type 2C2484 Geometry 0307 Polarity NPN Chip type 2C2484 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Product Summary: APPLICATIONS: Designed for high speed switching applications. Features: • High speed switching capabilities 文件：31.52 Kbytes 页数：1 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N2920	文件：86.9 Kbytes Page：2 Pages	DUAL NPN PLANAR TRANSISTORS IN TO77 PACKAGE DUAL NPN PLANAR TRANSISTORS IN TO77 PACKAGE 文件：86.9 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2920	文件：208.23 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor 文件：208.23 Kbytes 页数：2 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N2920	文件：917.01 Kbytes Page：3 Pages	SILICON DUAL NPN TRANSISTORS 文件：917.01 Kbytes 页数：3 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N2920	文件：293.53 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON DUAL TRANSISTOR 文件：293.53 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2920	文件：19.46 Kbytes Page：2 Pages	DUAL NPN PLANAR TRANSISTORS IN TO77 PACKAGE 文件：19.46 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N2920	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Transistor	Microchip 微芯科技	Microchip

晶体管资料

型号：
2N2920(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
差分放大器射极输出（Dual）_低噪放大（ra）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
0.03A
最大工作频率：
>60MHZ
引脚数：
6
可代换的型号：
BFW39,BFW40,BFY81,BFY91,BFY92,2N2639,2N2640,2N2641,2N2642,2N2643,2N2644,3DG110C,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
D-52
vtest：
45
htest：
60000100
atest：
0.03
wtest：
0

产品属性

产品编号：
2N2920
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
2 NPN（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
60V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 100µA，1mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 1mA，5V
功率 - 最大值：
350mW
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-78-6 金属罐
供应商器件封装：
TO-78-6
描述：
TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-78

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