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2N3009	文件：33.75 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3011 is a silicon epitaxial planar NPN transistor designed for ultra high speed saturated switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：33.75 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3009	文件：90.63 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS NPN SILICON HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS 2N3009, 2N3013, 2N3014 types are Silicon NPN switching Transistors designed for high speed, medium power saturated switching applications. 文件：90.63 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3009	文件：83.49 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS 文件：83.49 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N3009	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Saturated Switch	Central	Central
2N3009_15	文件：83.49 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS 文件：83.49 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL

型号：
2N3009
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX92,BSX93,BSY63,2N2368,2N2369,3DG130C,
最大耗散功率：
0.36W
放大倍数：
图片代号：
D-8
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.2
wtest：
0.36

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