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2N3014

NPN SILICON HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS

DESCRIPTION The Centra Semiconductor 2N3009, 2N3013, 2N3014 types are Silicon NPN switching Transistors designed for high speed, medium power saturated switching applications.

文件:79.29 Kbytes 页数:1 Pages

Central

2N3014

Small Signal Transistors

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3011 is a silicon epitaxial planar NPN transistor designed for ultra high speed saturated switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER

文件:33.75 Kbytes 页数:1 Pages

Central

2N3014

NPN SILICON HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS

NPN SILICON HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS 2N3009, 2N3013, 2N3014 types are Silicon NPN switching Transistors designed for high speed, medium power saturated switching applications.

文件:90.63 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N3014

NPN SILICON HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS

文件:83.49 Kbytes 页数:1 Pages

Central

2N3014

NPN HS MED PWR SWITCH

ONSEMI

安森美半导体

2N3014

Package:TO-206AC,TO-52-3,金属罐;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 20V 0.2A TO52-3

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    2N3014

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    350mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    300nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 30mA,400mV

  • 频率 - 跃迁:

    350MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-206AC,TO-52-3,金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-52-3

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 0.2A TO52-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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