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2N3033	文件：202.73 Kbytes Page：2 Pages	N-P-N EPITAXIAL MESA SILICON TRANSISTORS DESIGNED FOR EXTREMELY-HIGH-SPEED, HIGH-CURRENT AVALANCHE-MODE SWITCHING APPLICATIONS ● Strobe-Pulse Generators ● Square-Wave Pulse Generators ● Memory-Core Drivers 文件：202.73 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N3033	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 80V 1.2A 3-Pin TO-39	NJS 新泽西半导体	NJS
2N3054	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-66	MOTOROL 上传：深圳市华来深电子有限公司	MOTOROL
2N3766	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-66	MOT 上传：深圳市瑞卓芯科技有限公司	MOT
2N3772G	文件：0 bytes Page：0 Pages	原装封装	onsemi/安森美上传：深圳市品优时代科技有限公司	onsemi/安森美

晶体管资料

型号：
2N3033
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
高速开关（SS）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
0.02A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2G072D,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
D-8
vtest：
160
htest：
999900
atest：
0.02
wtest：
0.3

技术参数

Maximum Power Dissipation：
800mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum DC Collector Current：
1.2A
Maximum Collector Emitter Voltage：
80V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.25@15mA@150mA
Maximum Collector Base Voltage：
120V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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