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2N2919U	文件：304.78 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON DUAL TRANSISTOR NPN SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500 /355 文件：304.78 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2919U	文件：293.53 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON DUAL TRANSISTOR 文件：293.53 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2919U	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Transistor	Microchip 微芯科技	Microchip
2N2919U	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-SMD，无引线；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列描述：TRANS 2NPN 60V 0.03A	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
2N2919U/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-SMD，无引线；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列描述：TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

产品属性

产品编号：
2N2919U
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
包装：
散装
晶体管类型：
2 NPN（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
60V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 100µA，1mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 1mA，5V
功率 - 最大值：
350mW
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-SMD，无引线
供应商器件封装：
3-SMD
描述：
TRANS 2NPN 60V 0.03A

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