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2N1724	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Silicon High-Power 80V, 5A This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power 2N1722 and 2N1724 transistors for use in high-speed power-switching applications. Two levels of product assurance are provided (JAN and JANTX) for each device type as specified in MIL-PRF-19500/262. The device package out	Microchip 微芯科技	Microchip
2N1722A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-53	NJS	NJS
2N1724	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-61	NJS	NJS
2N1724	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
2N1724A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 120V 5A TO61	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
2N1725	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接线柱；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

晶体管资料

型号：
2N1722(/I)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
BD245C,BD545D,2SD718,2SD896,3DK5A6,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
β>20
图片代号：
NO
vtest：
120
htest：
999900
atest：
5
wtest：
100

技术参数

Maximum Power Dissipation：
3000mW
Maximum Operating Temperature：
175°C
Maximum Emitter Base Voltage：
10V
Maximum DC Collector Current：
5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
80V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.6@200mA@2AV
Maximum Collector Base Voltage：
175V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N172供应商更新时间2026-3-10 15:29:00

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