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2N1724数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2N1724

参数属性

2N1724 封装/外壳为TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

NPN Silicon High-Power 80V, 5A
POWER BJT

封装外壳

TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

原厂标识
Microchip
数据手册

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更新时间

2025-8-5 9:20:00

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2N1724规格书详情

描述 Description

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power 2N1722 and 2N1724 transistors for use in high-speed power-switching applications. Two levels of product assurance are provided (JAN and JANTX) for each device type as specified in MIL-PRF-19500/262. The device package outlines are a case mount TO-53 for types 2N1722 or a stud mount TO-61 for types 2N1724.

简介

2N1724属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N1724晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2N1724

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/262

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    300µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 2A,15V

  • 工作温度:

    175°C

  • 安装类型:

    接线柱安装

  • 封装/外壳:

    TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱

  • 供应商器件封装:

    TO-61

  • 描述:

    POWER BJT

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