2N1724数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
2N1724 |
参数属性 | 2N1724 封装/外壳为TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT |
功能描述 | NPN Silicon High-Power 80V, 5A |
封装外壳 | TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 9:20:00 |
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2N1724规格书详情
描述 Description
This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power 2N1722 and 2N1724 transistors for use in high-speed power-switching applications. Two levels of product assurance are provided (JAN and JANTX) for each device type as specified in MIL-PRF-19500/262. The device package outlines are a case mount TO-53 for types 2N1722 or a stud mount TO-61 for types 2N1724.
简介
2N1724属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N1724晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
2N1724
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/262
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
600mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
300µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 2A,15V
- 工作温度:
175°C
- 安装类型:
接线柱安装
- 封装/外壳:
TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱
- 供应商器件封装:
TO-61
- 描述:
POWER BJT
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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