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2N1724	文件：59.81 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/262 文件：59.81 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N1724	文件：163.82 Kbytes Page：1 Pages	Triple Diffused Power Transistors 2N1210 2N1211 2N1250 2N1620 2N1722 2N2032 2N2383 2N389 2N389A 2N424 2N424A 文件：163.82 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N1724	文件：49.14 Kbytes Page：1 Pages	POWER TRANSISTORS POWER TRANSISTORS 文件：49.14 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N1724	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Silicon High-Power 80V, 5A This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power 2N1722 and 2N1724 transistors for use in high-speed power-switching applications. Two levels of product assurance are provided (JAN and JANTX) for each device type as specified in MIL-PRF-19500/262. The device package out	Microchip 微芯科技	Microchip
2N1724	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-61	NJS	NJS
2N1724	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
2N1724A	文件：163.82 Kbytes Page：1 Pages	Triple Diffused Power Transistors 2N1210 2N1211 2N1250 2N1620 2N1722 2N2032 2N2383 2N389 2N389A 2N424 2N424A 文件：163.82 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N1724A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 120V 5A 3-Pin TO-61	NJS	NJS
2N1724A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 120V 5A TO61	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

晶体管资料

型号：
2N1724
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
特殊封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BLX19,2N3489,2N3492,3DK5A6,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
β>20
图片代号：
F-28
vtest：
120
htest：
999900
atest：
5
wtest：
100

产品属性

产品编号：
2N1724
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/262
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
300µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 2A，15V
工作温度：
175°C
安装类型：
接线柱安装
封装/外壳：
TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接线柱
供应商器件封装：
TO-61
描述：
POWER BJT

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