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2N120	文件：300 bytes Page：1 Pages	2A, 1200V N-CHANNEL POWER MOSFET The UTC 2N120 provide excellent RDS(ON), low gate chargeand operation with low gate voltages. This device is suitable foruse as a load switch or in PWM applications. RDS(ON) ≤ 7.5Ω @ VGS=10V, ID=1.0A Low Reverse Transfer Capacitance Fast Switching Capability Avalanche Energy Specified Improved dv/dt Capability, High Ruggedness;	UTC 友顺	UTC
2N1208	文件：49.14 Kbytes Page：1 Pages	POWER TRANSISTORS POWER TRANSISTORS 文件：49.14 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N1209	文件：49.14 Kbytes Page：1 Pages	POWER TRANSISTORS POWER TRANSISTORS 文件：49.14 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N120-E4	文件：665.36 Kbytes Page：8 Pages	2.0A, 1200V N-CHANNEL POWER MOSFET  DESCRIPTION The UTC 2N120-E4 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.  FEATURES0 * RDS(ON) ≤ 10 Ω @ VGS=10V, ID=1.0A * Low Reverse Transfer Capacitance * Fast Switching Cap 文件：665.36 Kbytes 页数：8 Pages	UTC 友顺	UTC
2N1209	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Transistor	Microchip 微芯科技	Microchip
2N120-E4	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar Power MOSFET (N-CH)	UTC 友顺	UTC

晶体管资料

型号：
2N120
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
0.025A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC167,BC182,BC237,BC547,
最大耗散功率：
0.15W
放大倍数：
β>76
图片代号：
D-161
vtest：
45
htest：
999900
atest：
0.025
wtest：
0.15

技术参数

VGS(±V)：
±30
ID(A)：
2
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
7500
CISSTYP.(pF)：
700
COSSTYP.(pF)：
65
CRSSTYP.(pF)：
12
QgTYP.(nC)：
31
QgsTYP.(nC)：
9.5
QgdTYP.(nC)：
10
VGS(th)(V)MIN.：
3
VGS(th)(V)MAX.：
5
TrrTYP.(nS)：
480
QrrTYP.(nC)：
3800
Package：
TO-220_TO-263

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