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2N120中文资料2A, 1200V N-CHANNEL POWER MOSFET数据手册UTC规格书

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厂商型号

2N120

功能描述

2A, 1200V N-CHANNEL POWER MOSFET

制造商

UTC Unisonic Technologies

中文名称

友顺 友顺科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 16:30:00

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2N120规格书详情

描述 Description

The UTC 2N120 provide excellent RDS(ON), low gate chargeand operation with low gate voltages. This device is suitable foruse as a load switch or in PWM applications.

特性 Features

RDS(ON) ≤ 7.5Ω @ VGS=10V, ID=1.0A Low Reverse Transfer Capacitance Fast Switching Capability Avalanche Energy Specified Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

技术参数

  • 制造商编号

    :2N120

  • 生产厂家

    :UTC

  • VGS(±V)

    :±30

  • ID(A)

    :2

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V

    :7500

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V

    :-

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=2.5V

    :-

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=1.8V

    :-

  • CISSTYP.(pF)

    :700

  • COSSTYP.(pF)

    :65

  • CRSSTYP.(pF)

    :12

  • QgTYP.(nC)

    :31

  • QgsTYP.(nC)

    :9.5

  • QgdTYP.(nC)

    :10

  • VGS(th)(V)MIN.

    :3

  • VGS(th)(V)MAX.

    :5

  • TrrTYP.(nS)

    :480

  • QrrTYP.(nC)

    :3800

  • Package

    :TO-220_TO-263

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