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2N120-E4	文件：665.36 Kbytes Page：8 Pages	2.0A, 1200V N-CHANNEL POWER MOSFET  DESCRIPTION The UTC 2N120-E4 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.  FEATURES0 * RDS(ON) ≤ 10 Ω @ VGS=10V, ID=1.0A * Low Reverse Transfer Capacitance * Fast Switching Cap 文件：665.36 Kbytes 页数：8 Pages	UTC 友顺	UTC
2N120-E4	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar Power MOSFET (N-CH)	UTC 友顺	UTC
2N1893	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-393PIN	ST/意法上传：深圳和润天下电子科技有限公司	ST/意法
2N2646	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-18	NO 上传：深圳亿达电子经营部	NO
2N2649	文件：0 bytes Page：0 Pages	CAN	MOT 上传：深圳市瑞卓芯科技有限公司	MOT

技术参数

VGS(±V)：
±30
ID(A)：
2
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
10000
CISSTYP.(pF)：
400
COSSTYP.(pF)：
50
CRSSTYP.(pF)：
16
QgTYP.(nC)：
25
QgsTYP.(nC)：
9
QgdTYP.(nC)：
8.4
VGS(th)(V)MIN.：
3
VGS(th)(V)MAX.：
5
TrrTYP.(nS)：
640
QrrTYP.(nC)：
4000
Package：
TO-220F1_TO-220F2

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更多2N120-E4供应商更新时间2026-3-10 15:49:00

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