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2DB1188Q	文件：151.5 Kbytes Page：6 Pages	40V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN SOT89	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2DB1188Q-13	文件：235.57 Kbytes Page：4 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •BVCEO>-32V •IC=-2AhighContinuousCurrent •LowsaturationvoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2DB1188Q-13	文件：151.5 Kbytes Page：6 Pages	40V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN SOT89	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2DB1188Q-13	文件：287.93 Kbytes Page：7 Pages	32V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2DB1188Q-13R	文件：287.93 Kbytes Page：7 Pages	32V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2DB1188Q-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 32V 2A SOT89-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

详细参数

型号：
2DB1188Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT 1000W -32Vceo
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多2DB1188Q供应商更新时间2025-7-20 14:01:00

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