2DB1188Q分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2DB1188Q |
| 参数属性 | 2DB1188Q 封装/外壳为TO-243AA；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 32V 2A SOT89-3 |
| 功能描述 | 40V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN SOT89 |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 文件大小 |
151.5 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-15 23:00:00 |
| 人工找货 | 2DB1188Q价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2DB1188Q规格书详情
2DB1188Q属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美台半导体制造生产的2DB1188Q晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号：
2DB1188Q-13
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，3V
- 频率 - 跃迁：
120MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
SOT-89-3
- 描述：
TRANS PNP 32V 2A SOT89-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES(美台) |
24+ |
SOT89 |
7350 |
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DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
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DIODES/美台 |
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SOT89 |
100000 |
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DIODES |
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SOT-89 |
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DIODES/美台 |
23+ |
SOT89 |
50000 |
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Diodes(美台) |
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DIODES/美台 |
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