2DB1184Q分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2DB1184Q |
| 参数属性 | 2DB1184Q 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 50V 3A TO252-3 |
| 功能描述 | PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
177.8 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Diodes Incorporated |
| 企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
| 中文名称 | 美台半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
| 人工找货 | 2DB1184Q价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2DB1184Q规格书详情
特性 Features
• BVCEO > -50V
• IC = -3A High Continuous Collector Current
• ICM = -4.5A Peak Pulse Current
• Epitaxial Planar Die Construction
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage
• Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
产品属性
- 产品编号：
2DB1184Q-13
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，3V
- 频率 - 跃迁：
110MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
TO-252-3
- 描述：
TRANS PNP 50V 3A TO252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes(美台) |
24+ |
NA/ |
7350 |
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DIODES/美台 |
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DIDEOS |
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DIODES |
23+ |
TO252 |
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原装正品现货 |
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DIODES/美台 |
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DIDEOS |
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TO-252 |
1840 |
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