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2DB1184Q	文件：177.8 Kbytes Page：5 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > -50V • IC = -3A High Continuous Collector Current • ICM = -4.5A Peak Pulse Current • Epitaxial Planar Die Construction • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Totally Lead-Free & Fully RoHS Complian 文件：177.8 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DB1184Q	文件：157.58 Kbytes Page：6 Pages	50V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN TO252-3L 文件：157.58 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DB1184Q-13	文件：177.8 Kbytes Page：5 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > -50V • IC = -3A High Continuous Collector Current • ICM = -4.5A Peak Pulse Current • Epitaxial Planar Die Construction • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Totally Lead-Free & Fully RoHS Complian 文件：177.8 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DB1184Q_11	文件：157.58 Kbytes Page：6 Pages	50V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN TO252-3L 文件：157.58 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DB1184Q_15	文件：348.35 Kbytes Page：6 Pages	50V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN TO252 文件：348.35 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DB1184Q-13	文件：157.58 Kbytes Page：6 Pages	50V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN TO252-3L 文件：157.58 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2DB1184Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 50V, 3A, TO252	Diodes 美台半导体	Diodes
2DB1184Q-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 3A TO252-3	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
On Request*
Product Type：
PNP
IC (A)：
3 A
ICM (A)：
4.5 A
PD (W)：
1.2 W
hFE (min)：
120 Min
hFE(@ IC)：
0.5 A
hFE(@ IC2)：
N/A A
VCE (SAT)Max (mV)：
1000 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)：
N/A
VCE (SAT)(Max.2)：
N/A mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
2/200
fT (MHz)：
110 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
TO252 (DPAK)

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