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2DA1201Y	文件：289 Kbytes Page：7 Pages	120V PNP SILICON TRANSISTOR IN SOT89 Features •BVCEO>-120V •MaxContinuousCurrentIC=-0.8A •HighGainHoldsuphFE≥120@IC=-100mA •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •PPAPcapab	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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2DA1201YQTC	文件：289 Kbytes Page：7 Pages	120V PNP SILICON TRANSISTOR IN SOT89 Features •BVCEO>-120V •MaxContinuousCurrentIC=-0.8A •HighGainHoldsuphFE≥120@IC=-100mA •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •PPAPcapab	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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2DA1201Y-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 120V 0.8A SOT89-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
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详细参数

型号：
2DA1201Y
功能描述：
两极晶体管 - BJT 120V PNP Trans 100mA -0.8V PWR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2DA1201Y供应商更新时间2025-7-23 20:00:00

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