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2DA1201YQTC

120V PNP SILICON TRANSISTOR IN SOT89

Features • BVCEO > -120V • Max Continuous Current IC = -0.8A • High Gain Holds up hFE ≥ 120 @ IC = -100mA • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • PPAP capab

文件:289 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

2DA1201YQTC

120V PNP SILICON TRANSISTOR IN SOT89

文件:393.89 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

2DA1201YQ

PNP, 120V, 0.8A, SOT89

\n\t120V PNP Silicon Transistor in SOT89\n\n\n\n\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\n\t\t\t\n\t\t\t\n\t\t\t\n\t\t\t\t\n\t\t\t\tProduct Specifications

Diodes

美台半导体

2DA1201YQTC

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 120V 0.8A SOT89-3

DIODES

美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    2DA1201YQTC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    160MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89-3

  • 描述:

    TRANS PNP 120V 0.8A SOT89-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2DA1201YQ供应商 更新时间2026-1-27 15:40:00