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230	文件：4.07281 Mbytes Page：24 Pages	型号：RAA2112304GP3#JA0；Package：TSOT-23；24V 3A Integrated Switching Regulator ▪4.5Vto24Vinputsupplyrange ▪Upto3Aoutputcurrent ▪Integratedhigh-side(85mΩ)andlow-side(45mΩ) MOSFETs ▪400μAquiescentcurrent ▪Minimumon-timeof60ns ▪Minimumoff-timeof275ns ▪0.765Vreferencevoltagewith2%accuracy ▪PFMmodeunderlightloadcondition ▪Curr	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
230	文件：721.63 Kbytes Page：21 Pages	型号：ST732M30R；300 mA, 28 V low-dropout voltage regulator, with 5 關A quiescent current	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
2300F	文件：984.1 Kbytes Page：6 Pages	型号：2300F；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The2300Fusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
2300F	文件：1.15718 Mbytes Page：6 Pages	型号：2300FA；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The2300FAusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
2301	文件：821.94 Kbytes Page：6 Pages	型号：2301；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The2301usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
2301	文件：1.01208 Mbytes Page：6 Pages	型号：2301A；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The2301Ausesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
2301H	文件：857.41 Kbytes Page：6 Pages	型号：2301H；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The2301Husesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
2301H	文件：848.93 Kbytes Page：6 Pages	型号：2301HA；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The2301HAusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
2302	文件：657.06 Kbytes Page：6 Pages	型号：2302；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The2302usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentR DS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application  Powerswitch DC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
2302	文件：685.28 Kbytes Page：6 Pages	型号：2302A；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The2302Ausesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

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