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DMG2301L	文件：12.01605 Mbytes Page：6 Pages	丝印：2301；Package：SOT23；P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs Product Summary Vps = -20V,Ip = -3A Rosion) 文件：12.01605 Mbytes 页数：6 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
DMG2301L	文件：532.75 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：532.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2301L-13	文件：532.75 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：532.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2301L-7	文件：532.75 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：532.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2301LK	文件：513 Kbytes Page：7 Pages	Low On-Resistance 文件：513 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2301LK-13	文件：513 Kbytes Page：7 Pages	Low On-Resistance 文件：513 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2301LK-7	文件：513 Kbytes Page：7 Pages	Low On-Resistance 文件：513 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2301L	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMG2301LK	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nESD Protected Gate;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
3 A
PD @ TA = +25°C：
1.5 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
120 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
150 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
5.5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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更多DMG2301L供应商更新时间2025-12-15 15:02:00

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