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1SS351-TB-E	文件：257.94 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode Schottky Barrier Diode Dual Series Schottky Barrier Diode for Mixer and Detector 5V, 30mA, 0.69pF, CP Features • Series connection of 2 elements in a small-sized package facilitates high-density mounting and ermits 1SS351-applied equipment to be made smaller • Small interterminal capacitan 文件：257.94 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
1SS351-TB-E	文件：257.94 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode Dual Series Schottky Barrier Diode for Mixer and Detector 5V, 30mA, 0.69pF, CP Schottky Barrier Diode Dual Series Schottky Barrier Diode for Mixer and Detector 5V, 30mA, 0.69pF, CP Features • Series connection of 2 elements in a small-sized package facilitates high-density mounting and ermits 1SS351-applied equipment to be made smaller • Small interterminal capacitan 文件：257.94 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
1SS351-TB-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：RF DIODE SCHOTTKY 5V 3CP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
1SS351	文件：358.53 Kbytes Page：6 Pages	UHF Detector, Mixer Applications 文件：358.53 Kbytes 页数：6 Pages	SANYO 三洋	SANYO
1SS351	文件：257.94 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode Schottky Barrier Diode Dual Series Schottky Barrier Diode for Mixer and Detector 5V, 30mA, 0.69pF, CP Features • Series connection of 2 elements in a small-sized package facilitates high-density mounting and ermits 1SS351-applied equipment to be made smaller • Small interterminal capacitan 文件：257.94 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
1SS351	文件：34.43 Kbytes Page：1 Pages	Sillicon Epitaxial Schottky Barrier Diode Features ● Series connection of 2 elements in a small-sized package facilitates high-density mounting and permits 1SS351-applied equipment to be made smaller. ● Small interterminal capacitance (C=0.69pF typ). ● Small forward voltage (VF=0.23V max). 文件：34.43 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

产品属性

产品编号：
1SS351-TB-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基 - 1 对串联
电压 - 峰值反向（最大值）：
5V
不同 Vr、F 时电容：
0.9pF @ 0.2V，1MHz
工作温度：
125°C（TJ）
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
3-CP
描述：
RF DIODE SCHOTTKY 5V 3CP

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