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1SS372	文件：121.32 Kbytes Page：2 Pages	DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION) HighSpeedSwitchingApplication ●Smallpackage ●Lowforwardvoltage:VF=0.23V(typ.)@IF=5mA	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
1SS372	文件：111.94 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES ●Smallsurfacemountingtype. ●Smallpackage. ●Lowforwardvoltage:VF=0.23V(typ). APPLICATIONS ●Forgeneralpurposeapplications.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
1SS372	文件：43.66 Kbytes Page：1 Pages	HIGH SPEED SWITCHING DIODE Features ●Smallpackage ●Lowforwardvoltage:VF=0.23V(typ.)@IF=5mA	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
1SS372	文件：241.07 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES ●SmallPackage ●LowForwardVoltage APPLICATIONS ●HighSpeedSwitching	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司
1SS372	文件：741.27 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES ●SmallPackage ●LowForwardVoltage APPLICATIONS ●HighSpeedSwitching	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
1SS372	文件：630.74 Kbytes Page：1 Pages	Schottky Diodes FEATURES ●SmallPackage ●LowForwardVoltage APPLICATIONS ●HighSpeedSwitching	ZHAOXINGWEIZhaoxingwei Electronics ., Ltd 兆兴威深圳市兆兴威电子有限公司
1SS372	文件：309.01 Kbytes Page：2 Pages	100 mA Schottky Barrier Diode10 Volts Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Highreliability •LowForwardVoltage •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Marking:N9 •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesCompliant.Seeorderinginformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
1SS372	文件：247.65 Kbytes Page：1 Pages	Schottky Barrier Diodes Features ◇Smallsurfacemountingtype. ◇Smallpackage. ◇Lowforwardvoltage:VF=0.23V(typ). Applications ◇Forgeneralpurposeapplications.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
1SS372	文件：106.83 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Diode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
1SS372	文件：131.93 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Diode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
1SS372	文件：558.95 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
1SS372_07	文件：212.41 Kbytes Page：3 Pages	High Speed Switching Application	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
1SS372_14	文件：223.53 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
1SS372_14	文件：131.93 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Diode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
1SS372_18	文件：106.83 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Diode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
1SS372(TE85L,F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-70，SOT-323 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

详细参数

型号：
1SS372
制造商：
BILIN
制造商全称：
Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
功能描述：
Schottky Barrier Diode

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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