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1SS385F	文件：109.94 Kbytes Page：2 Pages	DIODE (HIGH SPEED SWITCHING) High Speed Switching • Low forward voltage: VF = 0.23V (typ.) @IF = 5mA • Ultra-small package 文件：109.94 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS385F	文件：191.44 Kbytes Page：3 Pages	High Speed Switching 文件：191.44 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS385FV	文件：210.85 Kbytes Page：3 Pages	High-Speed Switching Applications High-Speed Switching Applications • Low forward voltage: VF = 0.23 V (typ.) @IF = 5 mA • Ultra-small package 文件：210.85 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS385F_07	文件：191.44 Kbytes Page：3 Pages	High Speed Switching 文件：191.44 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS385FV_14	文件：238.35 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type 文件：238.35 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS385FV	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small-signal Schottky barrier diode Feature：Low VF\nInternal Connection：Common cathode\nNumber of Circuits：2\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Average Forward Current IO 0.1 A \nReverse Voltage VR 10 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
1SS385FV,L3F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

技术参数

Product Category：
Small-signal Schottky barrier diode
internal_connection：
Common cathode
IF/IF(AV)/IO (Max) (A)：
0.1
VR/VRRM (Max)(V)：
10
IR/IRRM (Max)(mA)：
0.02
Features：
Low VF
Number of Circuits：
2
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
VESM
Width×Length×Height(mm)：
1.2 x 1.2 x 0.5
Package Size(mm^2)：
1.44

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1SS385F供应商更新时间2025-12-10 14:31:00

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