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1SS367	文件：122.46 Kbytes Page：2 Pages	DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION) High Speed Switching Application • Small package • Low forward voltage: VF = 0.23V (typ.) @IF = 5mA 文件：122.46 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS367	文件：32.65 Kbytes Page：1 Pages	HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features • Small package: :SC-70 • Low forward voltage :VF(3) = 0.23 V(Typ) @ IF = 5 mA 文件：32.65 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
1SS367	文件：215.91 Kbytes Page：3 Pages	SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE Features • Low forward voltage Applications • High Speed Switching 文件：215.91 Kbytes 页数：3 Pages	PFS 平盛电子	PFS
1SS367	文件：174.96 Kbytes Page：3 Pages	SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE Features • Low forward voltage Applications • High Speed Switching 文件：174.96 Kbytes 页数：3 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
1SS367	文件：215.04 Kbytes Page：3 Pages	High Speed Switching Application 文件：215.04 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS367	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOD-323封装二极管	HighDiode 海德	HighDiode
1SS367	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极管	ST 意法半导体	ST
1SS367	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极管	CBI 创基电子	CBI
1SS367_07	文件：215.04 Kbytes Page：3 Pages	High Speed Switching Application 文件：215.04 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS367_14	文件：224.75 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type 文件：224.75 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Product Category：
Small-signal Schottky barrier diode
internal_connection：
Single
IF/IF(AV)/IO (Max) (A)：
0.1
VR/VRRM (Max)(V)：
10
IR/IRRM (Max)(mA)：
0.02
Features：
Low VF
Number of Circuits：
1
Number of pins：
2
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
USC
AEC-Q101：
Qualified(*)
Width×Length×Height(mm)：
2.5 x 1.25 x 0.9
Package Size(mm^2)：
3.13

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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