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1SS196	文件：60.16 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:100mA ReverseVoltage VR:80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	KISEMICONDUCTOR Kwang Myoung I.S. CO.,LTD	KISEMICONDUCTOR
1SS196	文件：168.86 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1SS196	文件：234.13 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes Features ◇Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ◇Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1SS196	文件：122.54 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1SS196	文件：565.47 Kbytes Page：3 Pages	150mWSwitchingDiodes	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1SS196	文件：110.01 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODES SWITCHINGDIODES FEATURES Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半导体美科半导体股份（香港）有限公司	MAKOSEMI
1SS196	文件：135.27 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE Features •Smallpackage •Lowforwardvoltage •Fastreverserecoverytime •Smalltotalcapacitance Applications •Ultrahighspeedswitchingapplication	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1SS196	文件：92.22 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23SWITCHINGDIODE	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
1SS196	文件：221.93 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSwitchingDiodes100mAMPERES80VOLTS SWITCHINGDIODE100mAMPERES80VOLTS Features: FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion HighConductance ForGeneralPurposeSwitchingApplications	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
1SS196	文件：528.73 Kbytes Page：3 Pages	150mWSwitchingDiodes Features •LowLeakageCurrent •SurfaceMountSOT-23Package •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •MarkingCode:G3 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

产品属性

产品编号：
1SS196(TE85L,F)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
100mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
3pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SC-59-3
工作温度 - 结：
125°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3

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