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1SS226	文件：130.85 Kbytes Page：2 Pages	DIODE(ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION) UltraHighSpeedSwitchingApplication ●Smallpackage:SC-59 ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
1SS226	文件：196.41 Kbytes Page：3 Pages	UltraHighSpeedSwitchingApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
1SS226	文件：287.68 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●Fastswitching. ●Powerdissipation.PD:150mW(Tamb=25℃) APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1SS226	文件：35.22 Kbytes Page：1 Pages	ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION Features ●SmallPackage ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(Typ.) ●FastReverseRecoveryTime:trr=1.6ns(Typ.) ●SmallTotalCapacitance:CT=0.9pF(Typ.)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1SS226	文件：135.71 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE Features •Smallpackage •Lowforwardvoltage •Fastreverserecoverytime •Smalltotalcapacitance Applications •Ultrahighspeedswitchingapplication	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1SS226	文件：221.93 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSwitchingDiodes100mAMPERES80VOLTS SWITCHINGDIODE100mAMPERES80VOLTS Features: FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion HighConductance ForGeneralPurposeSwitchingApplications	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
1SS226	文件：183.37 Kbytes Page：3 Pages	150mWSWITCHINGDIODE Features •LowCurrentLeakage. •SurfaceMountSOT-23Package •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF MaximumRatings •OperatingTemperature:-55°Cto+125°C •StorageTemperature:-55°Cto+150	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
1SS226	文件：92.49 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23SWITCHINGDIODE	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
1SS226	文件：443.12 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES ●Lowforwardvoltage ●Fastreverserecoverytime ●Smalltotalcapacitance	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
1SS226	文件：468.46 Kbytes Page：3 Pages	UltraHighSpeedSwitching Featrues ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.) ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
1SS226	文件：180.88 Kbytes Page：3 Pages	UltraHighSpeedSwitchingApplication UltraHighSpeedSwitchingApplication ●Smallpackage:SC-59 ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
1SS226	文件：1.42911 Mbytes Page：4 Pages	SWITCHINGDIODE SWITCHINGDIODE FEATURES ●Lowforwardvoltage ●Fastreverserecoverytime ●Smalltotalcapacitance	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
1SS226	文件：974.58 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes FEATURES ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.)	ZHAOXINGWEIZhaoxingwei Electronics ., Ltd 兆兴威深圳市兆兴威电子有限公司	ZHAOXINGWEI
1SS226	文件：347.45 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes SWITCHINGDIODES Features: Fastspeedandshortreverserecoverytime; Forwardpressurereduction;	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 赛尔斯深圳市赛尔斯科技有限公司	SHENZHENSLS
1SS226	文件：250.5 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes Features ◇Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ◇Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ◇Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.)	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1SS226	文件：219.91 Kbytes Page：3 Pages	150mWSWITCHINGDIODE	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
1SS226	文件：88.74 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDIODE SOT-23Plastic-EncapsulateDIODE Features ●Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25°C) ●ForwardCurrent IF:100mA ●ReverseVoltage VR:80V ●Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55°Cto+150°C	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
1SS226	文件：655.81 Kbytes Page：3 Pages	UltraHighSpeedSwitchingApplication Featrues ●Pb-FreePackageisAvailable. ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.)	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亞昕科技亞昕科技股份有限公司	YEASHIN
1SS226	文件：243.21 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●Fastswitching. ●Powerdissipation.PD:150mW(Tamb=25℃) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1SS226	文件：361.99 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●Fastswitching. ●Powerdissipation.PD:150mW(Tamb=25℃) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1SS226.LF(T供应商更新时间2024-5-15 16:30:00

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