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1SS307(TE85L,F)

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E

Switching Diodes Silicon Epitaxial Planar

文件:163.78 Kbytes 页数:6 Pages

TOSHIBA

东芝

1SS307

Silicon Epitaxial Planar Type

Features ● Low forward voltage :VF =1.0 V(Typ) ● Low reverse Current :IR= 0.1 nA (Typ) ● Small total capacitance :CT = 3.0 pF(Typ)

文件:37.17 Kbytes 页数:1 Pages

KEXIN

科信电子

1SS307

General Puropose Rectifier Applications

文件:190.65 Kbytes 页数:3 Pages

TOSHIBA

东芝

1SS307

DIODE (GENERAL PURPOSE RECTIFIER APPLICATIONS)

General Puropose Rectifier Applications ● Low forward voltage : VF = 1.0V (typ.) ● Low reverse current : IR = 10nA (max) ● Small total capacitance : CT = 3.0pF (typ.) ● Small package : SC−59

文件:109.18 Kbytes 页数:2 Pages

TOSHIBA

东芝

产品属性

  • 产品编号:

    1SS307(TE85L,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    100mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    6pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    S-Mini

  • 工作温度 - 结:

    125°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多1SS307(TE85L,F)供应商 更新时间2025-10-10 9:48:00