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1SS196(TE85L,F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
1SS196	文件：93.74 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE HighConductance FastSwitching SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1SS196	文件：771.02 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGDIODE FEATURES Lowforwardvoltage Fastreverserecoverytime	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
1SS196	文件：1.12895 Mbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1SS196	文件：337.43 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDIODES FEATURES •Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) •Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
1SS196	文件：1.98335 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes SwitchingDiodes Features ●Lowforwardvoltage ●Fastreverserecoverytime Applications ●Extremefastswitches	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
1SS196	文件：85.13 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDIODE SOT-23Plastic-EncapsulateDIODE Features ●Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25°C) ●ForwardCurrent IF:100mA ●ReverseVoltage VR:80V ●Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55°Cto+150°C	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
1SS196	文件：241.23 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●Lowforwardvoltage VF(3)=0.9V(typ). ●Fastswitching. ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ) APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1SS196	文件：1.2703 Mbytes Page：4 Pages	SwitchingDiode SwitchingDiode FEATURES Lowforwardvoltage Fastreverserecoverytime	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
1SS196	文件：208.68 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes SWITCHINGDIODES FEATURES Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH

产品属性

产品编号：
1SS196(TE85L,F)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
100mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
3pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SC-59-3
工作温度 - 结：
125°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3

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更多1SS196(TE85L,F)供应商更新时间2025-5-21 16:43:00

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