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1SS222	文件：207.63 Kbytes Page：4 Pages	SILICON SWITCHING DIODES HIGH SPEED SWITCHING SILICON EPITAXIAL DIODES MINI MOLD Features ● Low capacitance:Ct = 4.0 pF MAX. ● High speed switching: trr = 3.0 ns MAX. ● Wide applications including switching, limitter clipper. 文件：207.63 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
1SS222	文件：369.59 Kbytes Page：6 Pages	SILICON SWITCHING DIODES HIGH SPEED SWITCHING SILICON EPITAXIAL DIODES MINI MOLD 文件：369.59 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
1SS222	文件：36.95 Kbytes Page：1 Pages	SILICON SWITCHING DIODE SILICON SWITCHING DIODE Features Low capacitance:Ct =4.0pFMAX. High speed switching: trr =3.0nsMAX. Wide applications including switching, limitter clipper. 文件：36.95 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
1SS222	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON SWITCHING DIODES	Renesas 瑞萨	Renesas
1SS222-L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon switching diode	NEC 瑞萨	NEC

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更多1SS222供应商更新时间2026-1-19 10:50:00