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1SS226,LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：PB-F S-MINI M8 DIODE (LF), IFM=3	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
1SS226	文件：785.06 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGDIODE FEATURES Lowforwardvoltage Fastreverserecoverytime Smalltotalcapacitance	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
1SS226	文件：93.78 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE DualDiodeSeries FastSwitching SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1SS226	文件：708.94 Kbytes Page：3 Pages	SWITCHINGDIODESOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lowforwardvoltage Fastreverserecoverytime *Smalltotalcapacitance	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
1SS226	文件：459.52 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHINGDIODESULTRAHIGHSPEEDSWITCHING	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
1SS226	文件：523.37 Kbytes Page：3 Pages	SwitchingDiodes Features ●SmallPackage ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(Typ.) ●FastReverseRecoveryTime:trr=1.6ns(Typ.) ●SmallTotalCapacitance:CT=0.9pF(Typ.)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1SS226	文件：466.37 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarSwitchingDiode Features ●Smallpackage ●Lowforwardvoltage ●Fastreverserecoverytime ●Smalltotalcapacitance	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1SS226	文件：1.14569 Mbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1SS226	文件：361.99 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●Fastswitching. ●Powerdissipation.PD:150mW(Tamb=25℃) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
1SS226	文件：243.21 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●Fastswitching. ●Powerdissipation.PD:150mW(Tamb=25℃) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK

产品属性

产品编号：
1SS226,LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对串联
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
100mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
工作温度 - 结：
125°C（最大）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
S-Mini
描述：
PB-F S-MINI M8 DIODE (LF), IFM=3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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