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1N62	文件：2.79285 Mbytes Page：78 Pages	GOLD BONDED DIODES [VMI] 200 V - 1,000 V Single Phase Bridge 22.0 A - 25.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time 文件：2.79285 Mbytes 页数：78 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1N62	文件：300 bytes Page：1 Pages	GOLD BONDED GERMANIUM DIODES	NJS 新泽西半导体	NJS
1N625	文件：266.41 Kbytes Page：6 Pages	silicon diode SILICON DIODE 文件：266.41 Kbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1N625A	文件：266.41 Kbytes Page：6 Pages	silicon diode SILICON DIODE 文件：266.41 Kbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1N626	文件：266.41 Kbytes Page：6 Pages	silicon diode SILICON DIODE 文件：266.41 Kbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1N6263	文件：99.85 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diodes Features • For general purpose applications • Metal-on-silicon Schottky barrier device which is protected by a PN junction guard ring. The low for ward voltage drop and fast switching make it ideal for protection of MOS devices, steering, biasing and coupling diodes for fast swit 文件：99.85 Kbytes 页数：2 Pages	GE	GE
1N6263	文件：56.73 Kbytes Page：2 Pages	SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES FEATURES • For general purpose applications • Metal-on-silicon junction Schottky barrier device which is protected by a PN junction guard ring. The low forward voltage drop and fast switching make it ideal for protection of MOS devices, steering, biasing and coupling diodes for fast 文件：56.73 Kbytes 页数：2 Pages	JINANJINGHENG 晶恒集团	JINANJINGHENG
1N6263	文件：101.8 Kbytes Page：1 Pages	SCHOOTTKY BARRIER DIODES SCHOOTTKY BARRIER DIODES FEATURES Hermetically Sealed Metalurgically Bonded Double Plug Construction 文件：101.8 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N6263	文件：30.8 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODES VRRM : 70V , 60V FEATURES : • For general purpose applications • Metal-on-silicon Schottky barrier device which is protected by a PN junction guard ring. The low forward voltage drop and fast switching make it ideal for protection of MOS devices, steering, biasing and coupling diode 文件：30.8 Kbytes 页数：2 Pages	SYNSEMI	SYNSEMI
1N6263	文件：144.76 Kbytes Page：2 Pages	Small Signal Schottky Diodes VOLTAGE RANGE: 60 V POWER DISSIPATION:400 mW Features ◇ For general purpose applications ◇ Metal silicon schottky barrier device which is protected by a PN junction guard ring. The low forward voltage drop and fast switching make it ideal for protection of MOS devices,steering,biasi 文件：144.76 Kbytes 页数：2 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG

技术参数

Peak Reverse Repetitive Voltage：
35V
Peak Reverse Recovery Time：
1000ns
Peak Reverse Current：
1uA
Peak Non-Repetitive Surge Current：
0.5A
Peak Forward Voltage：
1.5@0.004AV
Operating Junction Temperature：
-65 to 200°C
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Maximum Power Dissipation：
400mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Continuous Forward Current：
0.02A
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
标准国际(香港)有限公司	1N62	BKC	25+		3069		询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	1N62		24+	N/A	65000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市芯为科技有限公司	1N62	NTE	25+	电联咨询	7800	公司现货,提供拆样技术支持	询价
深圳市联世界科技有限公司	1N6267A	GI	24+/25+		1200	原装正品现货库存价优	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	1N6290A	ON	24+	MOSRB	6000	进口原装正品假一赔十,货期7-10天	询价
深圳市一线半导体有限公司	1N6296	EIC	24+		1000		询价
深圳市利加科技有限公司	1N6278	NJS	16+	NA	8800	原装现货,货真价优	询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	1N6284AG	ON	24+	N/A	5642	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
深圳市鹏和科技有限公司	1N6263W	SUNMATE一森美特	24+	SOD-123	5000	全现原装公司现货	询价
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	1N6299ARL4	ON	16+	原厂封装	10000	全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询	询价

更多1N62供应商更新时间2026-4-17 16:20:00

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