1500 WATTS PEAK POWER DISSIPATION

文件：147.93 Kbytes 页数：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

1500 WATTS PEAK POWER DISSIPATION

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

1500 WATTS PEAK POWER DISSIPATION

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

1500 WATTS PEAK POWER DISSIPATION

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

1500 WATTS PEAK POWER DISSIPATION

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

丝印：1N60KR；Package：SOT-223；MOSFET

Features - Low reverse transfer capacitances. - ESD improved capability. - Fast switching. - Low gate charge.

文件：648.86 Kbytes 页数：7 Pages

COMCHIP

典琦

Package：DO-204AH，DO-35，轴向；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 描述：DIODE ZENER 10V 500MW DO35

MICROCHIP

微芯科技

Package：DO-204AH，DO-35，轴向；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 描述：DIODE ZENER 10V 500MW DO35

ONSEMI

安森美半导体

Package：DO-204AH，DO-35，轴向；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 描述：DIODE ZENER 10V 500MW DO35

MICROCHIP

微芯科技