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1N5819W	文件：125.45 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
1N5819W	文件：470.76 Kbytes Page：2 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode	BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd. 松浩电子松浩电子股份有限公司	BYTESONIC
1N5819W	文件：1.96288 Mbytes Page：4 Pages	SOD123Plastic-EncapsulateDiodes SchottkyRectifier Features ●VR20-40V ●IFAV1A Applications ●Rectifier	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
1N5819W	文件：135.01 Kbytes Page：4 Pages	Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Features: •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpol	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
1N5819W	文件：383.39 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5819W	文件：233.87 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyDiodes ■Features ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability ●Lowforwardvoltagedrop ●HighSurgeCapability	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N5819W	文件：123.88 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpola	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
1N5819W	文件：75.75 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpol	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5819W	文件：221.77 Kbytes Page：1 Pages	surfacemountschottkybarrierdiode	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N5819W	文件：277.45 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

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技术参数

PPAP Capable：
Yes
Configuration：
Single
Maximum Average Rectified Current IO：
1 A
@ Terminal Temperature TT：
90 ºC
Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM：
40 V
Peak Forward Surge Current IFSM：
25 A
Forward Voltage Drop VF (V)：
0.45
@ IF：
1 A
Maximum Reverse Current IR：
1000 µA
@ VR：
40 V
Reverse Recovery Time trr：
N/A ns
Total Capacitance CT：
50 pF
Packages：
SOD123

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	1N5819HWQ-7-F	DIODES/美台	20+	SMD	88800	DIODES原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市正纳电子有限公司	1N5819HWQ-7-F	Diodes(美台)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
深圳市星佑电子有限公司	1N5819HWQ-7-F	DIODES/美台	21+	SOD-123	10000	原装,品质保证,请来电咨询	询价
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深圳市美思瑞电子科技有限公司	1N5819HWQ-7-F	DIODESINC	22+	N/A	24000	现货,原厂原装假一罚十!	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	1N5819HWQ-7-F	DIODES/美台	23+	SOD-123	8080	原装正品，支持实单	询价
深圳市振宏微科技有限公司	1N5819HWQ-7-F	DIODES/美台	23+	SOD-123	25630	原装正品	询价

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