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1N5819RL	文件：61.24 Kbytes Page：5 Pages	LOWDROPPOWERSCHOTTKYRECTIFIER DESCRIPTION AxialPowerSchottkyrectifiersuitedforSwitchModePowerSuppliesandhighfrequencyDCtoDCconverters.PackagedinDO41thesedevicesareintendedforuseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,polarityprotectionandsmallbatterychargers. FEATURESANDBENEF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
1N5819RL	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819RL	文件：249.43 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiersSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS1.0AMPERE20,30and40VOLTS ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819RLG	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819RLG	文件：249.43 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiersSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS1.0AMPERE20,30and40VOLTS ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819S	文件：52.22 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:20---40VCURRENT:1.0A FEATURES ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionappli	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1N5819S	文件：989.93 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to40VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ◆PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ◆Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◆Guardringforovervoltageprotection ◆Lowpowerloss,highefficiency ◆Highcurren	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
1N5819S	文件：989.57 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to40VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ◆PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ◆Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◆Guardringforovervoltageprotection ◆Lowpowerloss,highefficiency ◆Highcurren	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
1N5819S	文件：242.91 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE:20---40VCURRENT:1.0A FEATURES ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionappli	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1N5819S	文件：177.14 Kbytes Page：1 Pages	1.0AMP.SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	1N5819HWQ-7-F	DIODES/美台	20+	SMD	88800	DIODES原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市正纳电子有限公司	1N5819HWQ-7-F	Diodes(美台)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
深圳市星佑电子有限公司	1N5819HWQ-7-F	DIODES/美台	21+	SOD-123	10000	原装,品质保证,请来电咨询	询价
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深圳市富利微电子科技有限公司	1N5819HWQ-7-F	DIODES/美台	24+	NA	30000	房间原装现货特价热卖,有单详谈	询价
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深圳市恒凯威科技开发有限公司	1N5819HWQ-7-F	DIODES/美台	21+	SOD-123	8080	只做原装,质量保证	询价
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深圳市微纳尔电子实业有限公司	1N5819HWQ-7-F	DIODES/美台	21+	SOD-123	25630	原装正品	询价

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