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1N5819HW1	文件：374.52 Kbytes Page：5 Pages	SUPER BARRIER RECTIFIER 文件：374.52 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
1N5819HW1	文件：300 bytes Page：1 Pages	1A SBR SUPER BARRIER RECTIFIER The 1N5819HW1 is a single rectifier packaged in SOD123F. Offering low VF and excellent high temperature stability, this device is ideal for use in general rectification applications such as Boost Diode and Blocking Diode. Low Forward Voltage (VF) Minimizes Conduction Losses and Improving Efficiency\nReduced High Temperature Reverse Leakage\nIncreased Reliability Against Thermal Runaway Failure in High Temperature Operation\nTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device;	Diodes 美台半导体	Diodes
1N5819HW1-7-F	文件：374.52 Kbytes Page：5 Pages	SUPER BARRIER RECTIFIER 文件：374.52 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
1N5819HW1-7-F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-123F；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SBR 40V 1A SOD123F	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Configuration：
Single
MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A)：
1 A
@ TerminalTemperature TT (ºC)：
N/A ºC
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
40 V
Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A)：
30 A
Forward Voltage Drop VF (V)：
0.51 V
@ IF (A)：
1 A
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
0.5 µA
@ VR (V)：
40 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
15 ns
TotalCapacitance CT (pF)：
30 pF
Packages：
SOD123F (Type B)

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更多1N5819HW1供应商更新时间2025-10-13 14:16:00

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