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1N5819HW1中文资料1A SBR SUPER BARRIER RECTIFIER数据手册Diodes规格书

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厂商型号

1N5819HW1

参数属性

1N5819HW1 封装/外壳为SOD-123F;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SBR 40V 1A SOD123F

功能描述

1A SBR SUPER BARRIER RECTIFIER
DIODE SBR 40V 1A SOD123F

封装外壳

SOD-123F

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 14:53:00

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1N5819HW1规格书详情

描述 Description

The 1N5819HW1 is a single rectifier packaged in SOD123F. Offering low VF and excellent high temperature stability, this device is ideal for use in general rectification applications such as Boost Diode and Blocking Diode.

特性 Features

Low Forward Voltage (VF) Minimizes Conduction Losses and Improving Efficiency
Reduced High Temperature Reverse Leakage
Increased Reliability Against Thermal Runaway Failure in High Temperature Operation
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
Halogen and Antimony Free. “Green” Device

应用 Application

Boost Diode
Blocking Diode
Lighting
Backlighting
Smart Lighting

简介

1N5819HW1属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的1N5819HW1二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :1N5819HW1

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Standard

  • Configuration

    :Single

  • MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A)

    :1 A

  • @ TerminalTemperature TT (ºC)

    :N/A ºC

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :40 V

  • Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A)

    :30 A

  • Forward Voltage Drop VF (V)

    :0.51 V

  • @ IF (A)

    :1 A

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :0.5 µA

  • @ VR (V)

    :40 V

  • Reverse Recovery Time trr (ns)

    :15 ns

  • TotalCapacitance CT (pF)

    :30 pF

  • Packages

    :SOD123F (Type B)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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